Элементная база радиоэлектроники на основе наносред (Подвигалкин Виталий Яковлевич) ; Лань, 2022

Список принятых сокращений
Предисловие
Вступление
Глава 1. Целевые акценты пассивной элементной
базы радиоэлектроники, подлежащие
исследованию
1.1.Резисторы. Общие понятия
1.2.Конденсаторы электрические. Общие понятия
1.3.Эксплуатационные факторы
1.4.Перспективы развития миниатюрной пассивной
элементной базы радиоэлектроники
1.5.Миниатюризация вакуумных приборов высших
частот
1.6.Освоение протяженного пространства космоса
Глава 2. Обзор возможностей толстых пленок
микроэлектроники в создании элементной базы
радиоэлектронных систем
Введение
2.1.Возможности толстых пленок
микроэлектроники в создании элементной базы
радиоэлектронных систем
Глава 3.Полимерные композиции для создания
компонентно-элементной базы ис
радиоэлектроники на основе толстых пленок
3.1.Технологические особенности жидкофазного
нанесения металлополимерных толстопленочных
покрытий на диэлектрические и
полупроводниковые подложки-носители
3.2. Нанокомпозиты на основе d-металлов в
полимерной матрице
3.3.Нанокомпозиты из анодного оксида алюминия
3.4.Нанокомпозит из стеклофазы,
модифицированный синтезированными алмазами
3.5.Просветляющие наноструктурные оптические
среды для солнечных элементов
Глава 4. Основы теории аналитического
моделирования наноструктурных сред для толстых
пленок
Вступление
Введение
4.1.Аналитический метод малого возмущающего
тела
4.2.Определение характеристик
квазистатического поля в полубесконечном
цилиндре прямоугольного сечения (аналоге R-, С-
элементов микросхем)
Глава 5. Формирование и исследование толстых
пленок с наномерными средами
5.1.Получение полимерных нанокомпозитных
толстых пленок
5.2.Электрофизические свойства толстых пленок
на основе полимерных нанокомпозитов
5.3.Оптические свойства толстых пленок на основе
наночастиц сульфида кадмия в матрице
полиэтилена высокого давления
5.4.Пористые толстые пленки нанокомпозитов
5.5.Нанокомпозитные толстые пленки на основе
стеклофазы, модифицированной синтезированными
алмазами
Глава 6. Пассивная элементная база
радиоэлектроники
6.1.Проводящие R- и С-элементы толстых пленок
радиоэлектроники на основе гетероструктурных
сред
6.2.Развитие толстопленочной элементной базы
интегральных схем
6.3.Толстопленочный резистор микросборок для
работы в расширенном температурном интервале
6.4.Создание толстопленочного реверсивного
резистора
Глава 7. Миниатюризация устройств
радиоэлектроники высших частот с помощью
толстых пленок
7.1.Фундаментальный научно-технический предел
миниатюризации электровакуумных приборов СВЧ
7.2.Конструкторско-технологическое
вмешательство в решение проблемы
миниатюризации электровакуумных приборов
высших частот.
7.3.Конструирование замедляющих систем методом
вертикально сквозных микропрофилей
7.4.Миниатюризация элементной базы финишных
устройств и систем бортовых радиолокационных
станций
Глава 8. Узел эмиссии электронов в миниатюрных
вакуумных приборах высших частот
8.1.Особенности эмиссии электронов
8.2.Керн катодного узла
8.3.Оснащение экспериментальных испытаний
устройств вакуумных приборов
Глава 9. Высокоэффективное
конструктивнотехнологическое обеспечение
аккумулирования солнечной энергии
9.1.Толстопленочные нанокомпозитные покрытия
для электропреобразователей солнечной энергии
9.2.Метод глобулярной защиты от слияния
наночастиц на глобулах в полимерной матрице
перед нанесением просветляющего покрытия на
кремниевые подстилающие покрытия
9.3.Высокоэффективные кремниевые
фотоэлементы солнечных батарей
Глава 10. Релятивистская радиосвязь
10.1.Основания проблемы
10.2.Уплотнение информации в радиосвязи
10.3.Ускорители радиоимпульсной информации
Заключение
Литература