КаталогКниг.РФ Физические основы микро- и наноэлектроники. Учебное пособие (Дурнаков Андрей Адольфович) ; Флинта, 2022
от 784 р. до 1683 р.
Автор(ы): Дурнаков Андрей Адольфович;
Издатель: Флинта
ISBN: 978-5-9765-5060-5
ID: SKU1103025
Сравнить цены
Цена от 784 р. до 1683 р. в 6 магазинах
| Магазин | Цена | Наличие |
|---|---|---|
| Лабиринт 5/5 | 840 р. 1200 р. | |
| Буквоед 5/5 | 1409 р. Минимальная сумма заказа 100 рублей | |
| Book24 5/5 | 1409 р. | |
| Яндекс.Маркет 5/5 | 1683 р. | |
| МАЙШОП 5/5 | 784 р. 1120 р. | |
| Читай-город 5/5 | 1349 р. | наличие уточняйте 02.12.2023 |
| AliExpress 5/5 | ||
| Мегамаркет 5/5 | ||
Описание
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
2-е издание, стереотипное.
2-е издание, стереотипное.
Смотри также Характеристики.
Яндекс.Маркет
Содержание
Предисловие
1. Физический эффект и его компоненты
1.1. Определение физического эффекта
1.2. Физические эффекты в электронике
2. Однородный полупроводник
2.1. Собственный полупроводник
2.2. Электронный полупроводник
2.3. Дырочный полупроводник
3. Уровень Ферми
Задачи к практическому занятию № 1
4. Дрейф. Электропроводность
5. Генерация и рекомбинация в полупроводниках
6. Диффузионный ток. Законы движения носителей
заряда в полупроводниках
Задачи к практическому занятию № 2
7. Применение однородных полупроводников
7.1. Варисторы
7.2. Терморезисторы
7.3. Фоторезисторы
8. р-n Переход
8.1. Определение и классификация р-n переходов
8.2. Технология производства р-n перехода
8.3. Равновесное состояние р-n перехода
8.4. Ток в р-n переходе в равновесном состоянии
8.5. Контактная разность потенциалов
8.6. Энергетическая диаграммар-n перехода
в равновесном состоянии
8.7. Неравновесное состояние р-n перехода
8.8. Идеальный р-n переход
8.9. Реальный р-n переход
8.10. Эквивалентные схемы реального р-n
перехода
8.11. Пробой р-n перехода
8.12. Туннелирование в сильнолегированных
р-n переходах
Задачи к практическому занятию № 3
Задачи к практическому занятию № 4
9. Гетеропереходы
9.1. Общие сведения о гетеропереходах
9.2. Энергетическая диаграмма гетероперехода
9.3. Прямосмещенный гетеропереход
9.4. Получение гетеропереходов
9.5. Электрические свойства гетеропереходов
9.6. Применение гетеропереходов в
оптоэлектронике
Библиографический список
Приложение. Домашние задания
1. Физический эффект и его компоненты
1.1. Определение физического эффекта
1.2. Физические эффекты в электронике
2. Однородный полупроводник
2.1. Собственный полупроводник
2.2. Электронный полупроводник
2.3. Дырочный полупроводник
3. Уровень Ферми
Задачи к практическому занятию № 1
4. Дрейф. Электропроводность
5. Генерация и рекомбинация в полупроводниках
6. Диффузионный ток. Законы движения носителей
заряда в полупроводниках
Задачи к практическому занятию № 2
7. Применение однородных полупроводников
7.1. Варисторы
7.2. Терморезисторы
7.3. Фоторезисторы
8. р-n Переход
8.1. Определение и классификация р-n переходов
8.2. Технология производства р-n перехода
8.3. Равновесное состояние р-n перехода
8.4. Ток в р-n переходе в равновесном состоянии
8.5. Контактная разность потенциалов
8.6. Энергетическая диаграммар-n перехода
в равновесном состоянии
8.7. Неравновесное состояние р-n перехода
8.8. Идеальный р-n переход
8.9. Реальный р-n переход
8.10. Эквивалентные схемы реального р-n
перехода
8.11. Пробой р-n перехода
8.12. Туннелирование в сильнолегированных
р-n переходах
Задачи к практическому занятию № 3
Задачи к практическому занятию № 4
9. Гетеропереходы
9.1. Общие сведения о гетеропереходах
9.2. Энергетическая диаграмма гетероперехода
9.3. Прямосмещенный гетеропереход
9.4. Получение гетеропереходов
9.5. Электрические свойства гетеропереходов
9.6. Применение гетеропереходов в
оптоэлектронике
Библиографический список
Приложение. Домашние задания
Видео обзоры (2)
![Электроника, микроэлектроника, наноэлектроника: кто все эти люди? [Обучение]](https://i.ytimg.com/vi/nTZ-atdXJ5Q/hqdefault.jpg "Электроника, микроэлектроника, наноэлектроника: кто все эти люди? [Обучение]")
О книге
| Автор(ы) | Дурнаков Андрей Адольфович |
| Раздел | Физические науки |
| Издатель | Флинта |
| ISBN | 978-5-9765-5060-5 |
| Год издания | 2022 |
| Количество страниц | 248 |
| Формат | 160x220мм |
| Вес | 0.33кг |
| Переплет | Мягкий переплёт |
| Возрастные ограничения | 12 |
| Кол-во страниц | 248 |
| Обложка | мягкая обложка |
1 ms.
Электротехника. Электроника - издательство "Флинта"
Категория 627 р. - 940 р.
Электротехника. Электроника - издательство "Флинта" »
0 ms.
Электротехника. Электроника
Категория 627 р. - 940 р.
