КаталогКниг.РФ

Толстые плёнки радиоэлектроники. Физико-технические основы, гетероструктурные среды (Подвигалкин Виталий Яковлевич) ; Лань, 2017

Книга: Толстые плёнки радиоэлектроники. Физико-технические основы, гетероструктурные среды (Подвигалкин Виталий Яковлевич) ; Лань, 2017

от 598 р. до 2199 р.


Сравнить цены

Цена от 598 р. до 2199 р. в 8 магазинах

МагазинЦенаНаличие
Лабиринт

5/5

1488 р. 2126 р.
Буквоед

5/5

1879 р.
Минимальная сумма заказа 100 рублей
ЛитРес

5/5

598 р. 748 р.
электронная книга | скачать фрагмент
Book24

5/5

1879 р.
Яндекс.Маркет

5/5

1016 р.
МАЙШОП

5/5

1390 р. 1985 р.
Читай-город

5/5

2199 р.
наличие уточняйте
02.12.2023
OZON
1102 р.
наличие уточняйте
03.01.2024
AliExpress

5/5

Мегамаркет

5/5

Как купить или где мы находимся +

Описание

В пособии показана возможность физико-технических подходов в преодолении проблем в области создания миниатюрной элементной базы радиоэлектроники на основе объединяющего технического образа толстых пленок, занимающих размерный ряд от 2 до 100 мкм, со средами в наноразмерном масштабе. Излагаются основополагающие принципы конструирования радиоэлектронной элементной базы, включая несущие компоненты: технологичность, инвариантность, интегральность. Показан метод моделирования наномерных сред современной толстопленочной элементной базы.
Книга является учебным пособием для студентов высших учебных заведений по подготовке магистров, обучающихся по направлению "Электроника, радиотехника и системы связи". Она также предназначена для разработчиков и исследователей и может быть полезна работникам радиоэлектронной промышленности.

Смотри также Характеристики.

Яндекс.Маркет


Содержание

ПРЕДИСЛОВИЕ
Глава первая
ВВЕДЕНИЕ
1.1. Возможности толстых плёнок
микроэлектроники в создании элементной базы
радиоэлектронных систем
1.1.1.Толстые плёнки микроэлектроники в РЭА
1.1.2. Основные характеристики толстоплёночной
технологии
1.1.3. Краткий анализ технологического процесса
и свойства применяемых материалов
1.1.4. Тенденция развития толстых плёнок
для радиоэлектроники
Глава вторая
ПОДБОР ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИЦИЙ
ДЛЯ СОЗДАНИЯ КОМПОНЕНТНО-ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ
ИС РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ
ТОЛСТЫХ ПЛЁНОК
2.1. Технологические особенности жидкофазного
нанесения металлополимерных толстоплёночных
покрытий на диэлектрические
и полупроводниковые подложки-носители
2.1.1. Механика нанесения покрытий в виде
толстых плёнок на подстилающую поверхность
2.2. Нанокомпозиты на основе d-металлов
в полимерной матрице
2.2.1. Электропроводящие нанокомпозитные
среды
2.3. Нанокомпозиты из анодного оксида алюминия
2.4. Нанокомпозиты из стеклофазы,
модифицированной синтезированными алмазами
2.5. Просветляющие наноструктурные оптические
среды для солнечных элементов
Глава третья
ОСНОВЫ ТЕОРИИ АНАЛИТИЧЕСКОГО
МОДЕЛИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРНЫХ СРЕД
ДЛЯ ТОЛСТЫХ ПЛЁНОК
3.1. Вступление
3.2. Введение
3.3. Основы теории аналитического метода
малого возмущающего тела
3.4. Определение характеристик
квазистатического поля в полубесконечном
цилиндре прямоугольного сечения - аналоге R-,
С-элементов микросхем
Глава четвёртая
ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ТОЛСТЫХ
ПЛЁНОК С НАНОМЕРНЫМИ СРЕДАМИ
4.1. Получение полимерных нанокомпозитных
толстых плёнок
4.1.1. Физические эффекты в процессах синтеза и
формирования нанокомпозитных сред толстых
плёнок
4.1.2. Метод интегральное™ физических эффектов
4.1.3. Метод порогового автоформования
4.1.4. Квантовые точки в толстых плёнках
с наномерными полимерными средами
4.2. Электрофизические свойства толстых плёнок
на основе полимерных нанокомпозитов
4.2.1. Термостабильность моделей толстых плёнок
на основе наномерных сред
4.3. Оптические свойства толстых плёнок на
основе наночастиц сульфида кадмия в матрице
полиэтилена высокого давления
4.3.1. Исследование оптических характеристик
композитных сред на основе наночастиц сульфида
кадмия, стабилизированных в матрице полиэтилена
высокого давления и серебряных наночастиц в
матрице полиметилметакрилата
4.4. Пористые толстые плёнки нанокомпозитов
4.5. Нанокомпозитные толстые плёнки на основе
стеклофазы, модифицированной синтезированными
алмазами
Глава пятая
ПАССИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
5.1. Проводящие R- и С-элементы толстых плёнок
радиоэлектроники на основе гетероструктурных
сред
5.1.1. Проводящие толстые плёнки
с наномерными средами
5.1.2. Толстоплёночная элементная база
микросборок с двойными физическими функциями
5.2. Развитие толстоплёночной элементной базы
интегральных схем
5.3. Толстоплёночный резистор микросборок для
работы в расширенном интервале температур
Глава шестая
МИНИАТЮРИЗАЦИЯ УСТРОЙСТВ
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ
С ПОМОЩЬЮ ТОЛСТЫХ ПЛЁНОК
6.1. Фундаментальный научно-технический предел
миниатюризации электровакуумных приборов СВЧ
6.2. Конструкторско-технологическое
вмешательство в решение проблемы
миниатюризации электровакуумных приборов
высших частот
6.2.1. Несущие компоненты микросхем
высших частот
6.2.2. Метод вертикально-сквозных
микропрофилей для миниатюризации устройств
радиоэлектроники высших частот
6.2.3. Межслойные переходы объёмных
интегральных вакуумных микросхем высших частот
6.3. Конструирование замедляющих систем
методом вертикально-сквозных микропрофилей
6.3.1. Планарные интегральные схемы
6.3.2. Объёмные интегральные схемы
6.3.3. Микроблок
6.4. Миниатюризация элементной базы финишных
устройств и систем бортовых радиолокационных
станций
Глава седьмая
ВЫСОКОЭФФЕКТИВНОЕ
КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ
ОБЕСПЕЧЕНИЕ
АККУМУЛИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
7.1. Толстоплёночные нанокомпозитные покрытия
для электропреобразователей солнечной энергии
7.1.1. Комплекс технологических требований,
предъявляемых к просветляющим
нанокомпозитным толстоплёночным покрытиям
7.1.2. Высокоэффективные просветляющие
оптические нанопокрытия
7.1.3. Экспериментальные исследования
эффективности просветляющих оптических
покрытий
7.2. Метод глобулярной защиты от слияния
наночастиц на глобулах в полимерной матрице
перед нанесением просветляющего покрытия на
кремниевые подстилающие покрытия
7.3. Высокоэффективные кремниевые
фотоэлементы солнечных батарей
7.3.1. Компонентно-элементная база конструкции
перспективного фотоэлемента
солнечной батареи
7.3.2. Применение вертикально-сквозного
микропрофиля
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

О книге

Автор(ы)
СерияУчебники для вузов. Специальная литература
РазделРадиоэлектроника
ИздательЛань
ISBN978-5-8114-2404-7
Год издания2017
Количество страниц212
Формат152x218мм
Вес0.32кг
ПереплетТвердый переплёт
Возрастные ограничения12
Кол-во страниц212
Язык изданияРусский
Размеры60x90/16
Обложкатвердый переплёт

Отзывы (1)

  • 4/5

    Добавляю несколько изображений книги для ознакомления:

    0    0

Добавить отзыв



1 ms.

Книги где автор: Подвигалкин Виталий Яковлевич

Искать всё

 

Радиоэлектроника. Связь - издательство "Лань"

Категория 478 р. - 717 р.

Электротехника. Электроника - издательство "Лань" »

0 ms.

Радиоэлектроника. Связь

Категория 478 р. - 717 р.

ADS
закладки (0) сравнение (0)

 

preloader

6 ms