КаталогКниг.РФ Труды ФТИАН. Том 27. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника. Физика, технология; Наука, 2018
Сравнить цены
Цена от 369 р. до 886 р. в 3 магазинах
| Магазин | Цена | Наличие |
|---|---|---|
| Лабиринт 5/5 | 406 р. 812 р. | наличие уточняйте 08.04.2024 |
| Яндекс.Маркет 5/5 | 886 р. | наличие уточняйте 21.03.2024 |
| МАЙШОП 5/5 | 369 р. 595 р. | наличие уточняйте 20.03.2024 |
| AliExpress 5/5 | ||
| Читай-город 5/5 | ||
| Мегамаркет 5/5 | ||
Описание
Монографический сборник представляет теоретические и экспериментальные результаты, полученные сотрудниками Института в области физики, моделирования и технологий передовых нанотранзисторных структур для логических интефальных схем (УБИС). наноструктур для твердотельных генераторов терагерцового диапазона частот. Представлены исследования ключевых технологических процессов изготовления таких приборов с критическими размерами 11-32 нм: электронно-лучевой литографии, плазменного нано-структурирования, атомно-слоевого осаждения диэлектриков и металлов. Приводятся результаты в области микроструктурирования пористых low-k диэлектриков для систем многоуровневой металлизации. Большинство исследований проведено в рамках Программы ФНИ ФАНО России.
Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Смотри также Характеристики.
Яндекс.Маркет
Содержание
Д.А. Свинцов, М.К. Руденко, А.Б. Немцов, А.
Пильгун, И.А. Семенихин, Л.Е. Федичкин, В. В.
Вьюрков, К. В. Руденко
Низкоразмерные пролетные диоды и транзисторы
для генерации и детектирования терагерцового
излучения
М.К. Руденко, Д.А. Свинцов, С.Н. Филиппов, В.В.
Вьюрков
Поведение одноэлектронных солитонов вблизи
металлической поверхности в магнитном поле
A. В. Цуканов, И.Ю. Катеев
Источник терагерцовых фотонов на квантовых
точках в микрорезонаторе, интегрированный в
квантовый чип
А.В. Мяконьких, А.Е. Рогожин, А.А. Татаринцев,
К.В. Руденко, О.П. Гущин Технологии
формирования затворного HkMG-стека с Ml
PS-структурой для МДП-транзистора с
критическими размерами 32/28 нм
А.В. Мяконьких, А.А. Татаринцев, К.В. Руденко
Электронная литография и анизотропное
плазмохимическое травление кремниевых
FIN-структур для FINFETh SiNW транзисторов с
размерами 11- 22 нм
Ф.А. Сидоров, А.В. Молчанова, А.Е. Рогожин
Двухслойные диэлектрические стеки для
затворных структур современных МОП
транзисторов
И.Э. Клементе, А.В. Мяконьких
Применение адсорбционной эллипсометрической
порометрии для исследования
пленок пористых диэлектриков с ультранизкой
диэлектрической проницаемостью
B. П. Кудря, Ю.П. Маишев
Физические принципы диагностики пучков быстрых
нейтральных частиц. II. Методы определения
полного потока частиц в пучке
Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев
Теория электромиграционной неустойчивости
границы соединенных проводящих
материалов
Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев
Исследование условий изменения формы
интерфейсов проводящих микроструктур
под действием электрического тока
А.С. Шумилов, И.И. Амиров, В.Ф. Лукичев
Моделирование травления высокоаспектных
канавок в кремнии в хлорной плазме
Пильгун, И.А. Семенихин, Л.Е. Федичкин, В. В.
Вьюрков, К. В. Руденко
Низкоразмерные пролетные диоды и транзисторы
для генерации и детектирования терагерцового
излучения
М.К. Руденко, Д.А. Свинцов, С.Н. Филиппов, В.В.
Вьюрков
Поведение одноэлектронных солитонов вблизи
металлической поверхности в магнитном поле
A. В. Цуканов, И.Ю. Катеев
Источник терагерцовых фотонов на квантовых
точках в микрорезонаторе, интегрированный в
квантовый чип
А.В. Мяконьких, А.Е. Рогожин, А.А. Татаринцев,
К.В. Руденко, О.П. Гущин Технологии
формирования затворного HkMG-стека с Ml
PS-структурой для МДП-транзистора с
критическими размерами 32/28 нм
А.В. Мяконьких, А.А. Татаринцев, К.В. Руденко
Электронная литография и анизотропное
плазмохимическое травление кремниевых
FIN-структур для FINFETh SiNW транзисторов с
размерами 11- 22 нм
Ф.А. Сидоров, А.В. Молчанова, А.Е. Рогожин
Двухслойные диэлектрические стеки для
затворных структур современных МОП
транзисторов
И.Э. Клементе, А.В. Мяконьких
Применение адсорбционной эллипсометрической
порометрии для исследования
пленок пористых диэлектриков с ультранизкой
диэлектрической проницаемостью
B. П. Кудря, Ю.П. Маишев
Физические принципы диагностики пучков быстрых
нейтральных частиц. II. Методы определения
полного потока частиц в пучке
Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев
Теория электромиграционной неустойчивости
границы соединенных проводящих
материалов
Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев
Исследование условий изменения формы
интерфейсов проводящих микроструктур
под действием электрического тока
А.С. Шумилов, И.И. Амиров, В.Ф. Лукичев
Моделирование травления высокоаспектных
канавок в кремнии в хлорной плазме
О книге
| Издатель | Наука |
| ISBN | 978-5-02-040089-4 |
| Год издания | 2018 |
| Размеры | 70x100/16 |
| Обложка | мягкая обложка |
| Язык издания | rus |
| Кол-во страниц | 138 |
1 ms.
Радиоэлектроника. Связь - издательство "Наука"
Категория 295 р. - 442 р.
Электротехника. Электроника - издательство "Наука" »
0 ms.
Радиоэлектроника. Связь
Категория 295 р. - 442 р.
