Физика и техника пленочных электролюминесцентных излучателей переменного тока. Монография, 3-е изд., стер. (Гурин Н. Т.) ; Лань, 2023

Предисловие
Введение
Глава 1. Структура и основные свойства
пленочных
электролюминесцентных излучателей переменного
тока
1.1. Основные типы и конструкции пленочных
электролюминесцентных излучателей
1.2. Особенности конструкций пленочных
электролюминесцентных излучателей переменного
тока
1.3. Методы получения тонкопленочных
электролюминесцентных структур
1.4. Основные свойства тонкопленочных
электролюминесцентных излучателей
1.5. Конструкции и технологии пленочных
электролюминесцентных панелей
1.6. Анализ методов построения полноцветных
электролюминесцентных панелей
Глава 2. Модифицированные конструкции
пленочных
электролюминесцентных излучателей
2.1. Пленочные электролюминесцентные
структуры
с композиционным жидким диэлектриком
2.2. Пленочные электролюминесцентные
структуры
на шероховатых подложках
2.3. Пленочные электролюминесцентные
структуры на подложках с диффузно
рассеивающей излучающей поверхностью
2.4. Гибридный пленочный
электролюминесцентный излучатель переменного
тока
Глава 3. Влияние электрофизических параметров
слоев и режима возбуждения на характеристики
электролюминесцентных излучателей
3.1. Взаимосвязь параметров диэлектрических
слоев
и порогового напряжения электролюминесцентных
излучателей с одинаковыми диэлектрическими
слоями
3.2. Требования к параметрам диэлектрических
слоев электролюминесцентных излучателей с
разными диэлектрическими слоями
3.3. Энергетическая эффективность
тонкопленочных электролюминесцентных
излучателей
3.4. Влияние формы возбуждающего напряжения и
электрофизических параметров тонкопленочных
электролюминесцентных излучателей на
эффективность электролюминесценции
3.5. Оптимизация режима возбуждения пленочных
электролюминесцентных структур
трапецеидальным напряжением
3.6. Моделирование электрических характеристик
пленочных электролюминесцентных излучателей
Глава 4. Определение параметров и характеристик
предпробойной электролюминесценции в
структурах на основе сульфида цинка,
легированного марганцем
4.1. Определение параметров предпробойной
электролюминесценции с помощью
трапецеидального напряжения возбуждения
4.2. Зависимость параметров
электролюминесценции от скорости нарастания
линейно нарастающего напряжения возбуждения..
4.3. Зависимость параметров
электролюминесценции от амплитуды линейно
нарастающего напряжения возбуждения
Глава 5. Влияние объемного заряда на
электрические
характеристики тонкопленочных
электролюминесцентных структур
5.1. Определение электрических характеристик
люминесцентного слоя
5.2. Анализ кинетики тока, заряда и
электрического поля
в тонкопленочных электролюминесцентных
излучателях
5.3. Экспериментальные электрические
характеристики тонкопленочных
электролюминесцентных излучателей
на основе ZnS:Mn
Глава 6. Кинетика электролюминесценции
тонкопленочных излучателей в условиях
образования и изменения объемных зарядов в слое
люминофора
6.1. Кинетика электролюминесценции
тонкопленочных излучателей на ультранизких
частотах
6.2. Кинетика квантового выхода и светоотдачи
тонкопленочных электролюминесцентных
излучателей
6.3. Формирование вольт-яркостной
характеристики тонкопленочных
электролюминесцентных излучателей
Глава 7. Глубокие центры и их влияние на
характеристики электролюминесценции в
сульфиде цинка
7.1. Природа и параметры глубоких центров в
сульфиде цинка.
7.2. Изменение спектра электролюминесценции
тонкопленочных излучателей на основе ZnS:Mn
в зависимости от уровня возбуждения
7.3. Влияние фотовозбуждения на электрические
характеристик тонкопленочных
электролюминесцентных структур на основ ZnS:Mn
7.4. Инфракрасное тушение электролюминесценции
тонкопленочных структур на основе ZnS.Mn
7.5. Модель формирования и изменения объемных
зарядов
в тонкопленочных электролюминесцентных
излучателях
Глава 8. Высокополевые генерационные процессы
в пленочных электролюминесцентных структурах
на основе сульфида цинка
8.1. Туннелирование электронов с поверхностных
состояний и ударное возбуждение глубоких
центров и центров свечения.
8.2. Уточненные характеристики высокополевых
процессов туннелирования и ударной ионизации в
тонкопленочных электролюминесцентных
излучателях
8.3. Определение вероятности излучательной
релаксации центров свечения Мп2+ с учетом
ударной ионизации
8.4. Влияние условий возбуждения на
характеристики ударной ионизации глубоких
центров
Глава 9. Рекомбинационные и релаксационные
процессы и поверхностные состояния в пленочных
электролюминесцентных структурах на основе
сульфида цинка
9.1. Модель процесса захвата электронов на
поверхностные состояния при выключении
тонкопленочных электролюминесцентных
излучателей
9.2. Релаксация электрических параметров
тонкопленочных электролюминесцентных
излучателей при выключении
9.3. Изменение внутреннего квантового выхода
при выключении тонкопленочных
электролюминесцентных излучателей
9.4. Характеристики поверхностных состояний в
структурах пленочных электролюминесцентных
излучателей
Заключение
Список литературы