МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники (Р. Х. Акчурин) ; Техносфера, 2018
от 599 р. до 1278 р.
Автор(ы): Р. Х. Акчурин;
Издатель: Техносфера
EAN: 978-5-94836-521-3
ISBN: 978-5-94836-521-3
ID: SKU487792
Сравнить цены
Цена от 599 р. до 1278 р. в 6 магазинах
Магазин | Цена | Наличие |
---|---|---|
ЛитРес 5/5 | 599 р. 749 р. электронная книга | скачать фрагмент | |
Лабиринт 5/5 | 818 р. 1168 р. | |
Мегамаркет 5/5 | 1278 р. 1748 р. | |
Яндекс.Маркет 5/5 | 1223 р. 1590 р. | |
МАЙШОП 5/5 | 764 р. 1091 р. | |
OZON | 980 р. | наличие уточняйте 03.01.2024 |
AliExpress 5/5 | ||
Читай-город 5/5 | ||
Описание
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ , затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Смотри также Характеристики.
Яндекс.Маркет
Содержание
Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические
аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения
ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических
реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников ДИВ^
Глава 11. Другие классы материалов
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические
аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения
ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических
реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников ДИВ^
Глава 11. Другие классы материалов
О книге
Автор(ы) | Р. Х. Акчурин |
Издатель | Техносфера |
Год издания | 2018 |
Серия | Мир материалов и технологий (Техносфера) |
Форматы электронной версии | |
ISBN | 978-5-94836-521-3 |
Жанр | физика; химия |
Издательство | Техносфера |
Автор | Акчурин Рауф Хамзинович |
Возрастное ограничение | 16+ |
Вес | 0.769 |
Количество книг | 1 |
Формат | 17.0 x 25.0 x 2 |
Оформление обложки | интегральный переплет |
Количество страниц | 488 |
Тип обложки | твердая |
Размеры | 70x100/16 |
Язык издания | Русский |
Кол-во страниц | 488 |
Обложка | твердый переплёт |
1 ms.
Химические науки - издательство "Техносфера"
Категория 479 р. - 718 р.
монографии - издательство "Техносфера" »
0 ms.
Химические науки
Категория 479 р. - 718 р.