Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5 (Юрий Раков) ; Новосибирский государственный технический университет
92 р.
Автор(ы): Юрий Раков;
Издатель: Новосибирский государственный технический университет
ISBN: 978-5-7782-1618-1
ID: SKU456255
Цены
Цена от 92 р. до 92 р. в 1 магазинах
Магазин | Цена | Наличие |
---|---|---|
ЛитРес 5/5 | 92 р. 115 р. электронная книга | скачать фрагмент | |
AliExpress 5/5 | ||
Лабиринт 5/5 | ||
Читай-город 5/5 | ||
МАЙШОП 5/5 | Один из первых книжных интернет-магазинов, работающий с 2002 года | |
Яндекс.Маркет 5/5 | ||
Мегамаркет 5/5 | ||
Описание
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
Смотри также Характеристики.
Яндекс.Маркет
О книге
Автор(ы) | Юрий Раков |
Издатель | Новосибирский государственный технический университет |
Форматы электронной версии | |
ISBN | 978-5-7782-1618-1 |
1 ms.
Книги где автор: Юрий Раков
Похожие товары
Категория 73 р. - 110 р.