Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (К. И. Таперо) ; Лаборатория знаний, 2017
Автор(ы): К. И. Таперо;
Издатель: Лаборатория знаний
ISBN: 978-5-00101-445-4
ID: SKU404028
Добавлено: 23.08.2021
Цены
Магазин | Цена | Наличие |
---|---|---|
Лабиринт 5/5 | ||
Читай-город 5/5 | ||
МАЙШОП 5/5 | Один из первых книжных интернет-магазинов, работающий с 2002 года | |
Описание
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Смотри также Характеристики.
Яндекс.Маркет
О книге
Автор(ы) | К. И. Таперо |
Издатель | Лаборатория знаний |
Год издания | 2017 |
Форматы электронной версии | |
ISBN | 978-5-00101-445-4 |
1 ms.
Книги с похожим названием
Похожие товары
Категория 0 р. - 0 р.