Системы на кристалле с встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5 (Мальцева П. (ред.)) ; ТЕХНОСФЕРА, 2019
от 599 р. до 1359 р.
Автор(ы): Мальцева П. (ред.);
Издатель: Техносфера
ISBN: 978-5-94836-526-8
ID: SKU343058
Добавлено: 17.08.2021
Сравнить цены
Цена от 599 р. до 1359 р. в 5 магазинах
Магазин | Цена | Наличие |
---|---|---|
ЛитРес 5/5 | 599 р. 749 р. электронная книга | скачать фрагмент | |
Book24 5/5 | 1359 р. | |
Лабиринт 5/5 | 818 р. 1168 р. | |
Яндекс.Маркет 5/5 | 1641 р. | наличие уточняйте 27.05.2024 |
МАЙШОП 5/5 | 710 р. 1091 р. | |
Читай-город 5/5 | ||
Описание
В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения «Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова» Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010–2017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур А3В5 (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств.
Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008–2015 годы, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009–2013 годы, ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» на 2007–2013 годы и на 2014–2020 годы.
Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008–2015 годы, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009–2013 годы, ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» на 2007–2013 годы и на 2014–2020 годы.
Смотри также Характеристики.
Яндекс.Маркет
Содержание
Введение
Глава 1. Малогабаритные встроенные антенны
сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин
волн
1.1.Направления развития антенн диапазона 5 ГГц
с минимальным объемом
1.2. Обзор реализаций планарных встроенных
антенн диапазона 5 ГГц с минимальным объемом
1.3. Обзор реализаций встроенных антенн
диапазона 5 ГГц с излучателем-монополем
1.4. Интегрированные антенны на
наногетероструктурах арсенида галлия
1.5. Обзор реализаций планарных антенн Х-
диапазона с двумя слоями металлизации
1.6. Многослойные планарные антенны. Часть 1.
Типы, реализации, преимущества
1.7. Многослойные планарные антенны. Часть 2.
Обеспечение многочастотного режима круговой
или эллиптической поляризации излучения
1.8. Интегрированные антенны для использования
в системах на кристалле
Глава 2. Фотопроводящие материалы и
интегральные антенны на их основе для
терагерцевого диапазона частот
2.1. MHEMT с предельной частотой усиления по
мощностиfmax = 0,63 ТГц на основе
наногетероструктуры
In0,42Al0,58As/In0,42Ga0,58As/
In0,42Al0,58As/GaAs
2.2. Исследование малосигнальных и шумовых
характеристик метаморфных транзисторов для
монолитных интегральных схем в крайне
высокочастотном диапазоне
2.3. Разработка и исследование фотопроводящих
антенн на основе полупроводников группы А3В5,
выращенных при пониженных температурах
эпитаксиального роста
2.4. Разработка материалов и фотопроводящих
антенн на их основе для генерации и
детектирования импульсного и непрерывного
терагерцевого (ТГц) излучения
2.5. Терагерцевое излученте эпитаксиальных
низкотемпературных GaAs структур на подложках
GaAs (100)и(П1)А
Глава 3. Системы на кристалле со встроенными
антеннами
3.1. Перспективы создания систем на кристалле
для СВЧ- и КВЧ-диапазонов частот на арсениде
галлия
3.2. Перспективы замены арсенидных МИС на
нитридные
3.3. Технология сплавных и несплавных омических
контактов к гетероструктурам на основе GaN.
Обзор
3.4. Влияние параметров наногетероструктур и
технологии изготовления на шумовые свойства
AlGaN/GaN HEMT
3.5. Переход от сплавной к несплавной технологии
омических контактов при росте диапазона рабочих
частот СВЧ МИС на основе нитрида галлия.
3.6. Малошумящие усилители диапазона 60 ГГц.
Обзор мировых коммерческих разработок
3.7. Монолитная интегральная схема ГУН V-
диапазона
3.8. Монолитная интегральная схема усилителя со
встроенной антенной для пятимиллиметрового
диапазона длин волн
3.9. Технология изготовления и разработка
монолитных интегральных схем на основе нитрида
галлия
3.10. Разработка однокристальных
приемопередающих модулей V-диапазона на
нитриде галлия
3.11. СВЧ-технологии - основа электроники
будущего. Тенденции и рынки
Приложение А. Результаты интеллектуальной
деятельности ИСВЧПЭ РАН за 2010-2017 гг
Приложение Б. Усилители мощности и
малошумящие усилители для диапазона частот 8-
12 ГГц. Обзор
Б.1. Аналитический обзор современной научно-
технической литературы в области усилителей на
нитриде галлия
Б.2. Аналитический обзор по разработке
перспективных монолитных интегральных схем
МИС усилителей мощности и малошумящих
усилителей диапазона частот 8-12 ГГц
Приложение В. Усилители в монолитном исполнении
для диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор
B.1. Патентные исследования в области
усилителей в монолитном исполнении мм-диапазона
длин волн
B.2. Схемотехнические, конструкторские решения
интегральных схем малошумящих усилителей мм-
диапазона длин волн
B.3. Реализация усилителей
B.4. Заключение
Приложение Г. Генераторы, управляемые
напряжением для диапазоначастот 57-67 ГГц.
Обзор
Г.1. Основная (аналитическая) часть. Генераторы,
управляемые напряжением мм-диапазона длин волн
Г.2. Развитие схемы генератора с одиночным
транзистором
Г.3. Развитие генераторов, управляемых
напряжением, построенных на двухтактных
дифференциальных схемах
Г.4. Примеры разработки генераторов,
управляемых напряжением
Г.5. Заключение
Приложение Д. Схемотехнические и
конструкторские решения для смесителей для
диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор
Д.1. Принципы построения смесителей
Д.2. Схемотехника перемножителей
Д.3. Структуры двойных балансных смесителей на
основе перемножителей
Д.4. Реализация фазорасщепителей
Д.5. Реализация смесителей
Д.6. Заключение
Приложение Е. Радиоприемные устройства для
диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор
Е.1. Развитие радиоприемных устройств мм-
диапазона длин волн
Приложение Ж. Стратегическая программа
исследований технологической платформы "СВЧ-
технологии"
Ж.1. Текущие тенденции развития рынков и
технологий в сфере деятельности платформы
Ж.2. Прогноз развития рынков и технологий в
сфере деятельности платформы.
Ж.3. Направления исследований и разработок,
наиболее перспективные для развития в рамках
платформы
Ж.4. Тематический план работ и проектов
платформы в сфере исследований и разработок
Ж.5. Мероприятия по коммерциализации
технологий и совершенствованию механизмов
управления правами на результаты
интеллектуальной деятельности
Ж.6. Меры в области подготовки и развития
научных и инженерно-технических кадров
Глава 1. Малогабаритные встроенные антенны
сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин
волн
1.1.Направления развития антенн диапазона 5 ГГц
с минимальным объемом
1.2. Обзор реализаций планарных встроенных
антенн диапазона 5 ГГц с минимальным объемом
1.3. Обзор реализаций встроенных антенн
диапазона 5 ГГц с излучателем-монополем
1.4. Интегрированные антенны на
наногетероструктурах арсенида галлия
1.5. Обзор реализаций планарных антенн Х-
диапазона с двумя слоями металлизации
1.6. Многослойные планарные антенны. Часть 1.
Типы, реализации, преимущества
1.7. Многослойные планарные антенны. Часть 2.
Обеспечение многочастотного режима круговой
или эллиптической поляризации излучения
1.8. Интегрированные антенны для использования
в системах на кристалле
Глава 2. Фотопроводящие материалы и
интегральные антенны на их основе для
терагерцевого диапазона частот
2.1. MHEMT с предельной частотой усиления по
мощностиfmax = 0,63 ТГц на основе
наногетероструктуры
In0,42Al0,58As/In0,42Ga0,58As/
In0,42Al0,58As/GaAs
2.2. Исследование малосигнальных и шумовых
характеристик метаморфных транзисторов для
монолитных интегральных схем в крайне
высокочастотном диапазоне
2.3. Разработка и исследование фотопроводящих
антенн на основе полупроводников группы А3В5,
выращенных при пониженных температурах
эпитаксиального роста
2.4. Разработка материалов и фотопроводящих
антенн на их основе для генерации и
детектирования импульсного и непрерывного
терагерцевого (ТГц) излучения
2.5. Терагерцевое излученте эпитаксиальных
низкотемпературных GaAs структур на подложках
GaAs (100)и(П1)А
Глава 3. Системы на кристалле со встроенными
антеннами
3.1. Перспективы создания систем на кристалле
для СВЧ- и КВЧ-диапазонов частот на арсениде
галлия
3.2. Перспективы замены арсенидных МИС на
нитридные
3.3. Технология сплавных и несплавных омических
контактов к гетероструктурам на основе GaN.
Обзор
3.4. Влияние параметров наногетероструктур и
технологии изготовления на шумовые свойства
AlGaN/GaN HEMT
3.5. Переход от сплавной к несплавной технологии
омических контактов при росте диапазона рабочих
частот СВЧ МИС на основе нитрида галлия.
3.6. Малошумящие усилители диапазона 60 ГГц.
Обзор мировых коммерческих разработок
3.7. Монолитная интегральная схема ГУН V-
диапазона
3.8. Монолитная интегральная схема усилителя со
встроенной антенной для пятимиллиметрового
диапазона длин волн
3.9. Технология изготовления и разработка
монолитных интегральных схем на основе нитрида
галлия
3.10. Разработка однокристальных
приемопередающих модулей V-диапазона на
нитриде галлия
3.11. СВЧ-технологии - основа электроники
будущего. Тенденции и рынки
Приложение А. Результаты интеллектуальной
деятельности ИСВЧПЭ РАН за 2010-2017 гг
Приложение Б. Усилители мощности и
малошумящие усилители для диапазона частот 8-
12 ГГц. Обзор
Б.1. Аналитический обзор современной научно-
технической литературы в области усилителей на
нитриде галлия
Б.2. Аналитический обзор по разработке
перспективных монолитных интегральных схем
МИС усилителей мощности и малошумящих
усилителей диапазона частот 8-12 ГГц
Приложение В. Усилители в монолитном исполнении
для диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор
B.1. Патентные исследования в области
усилителей в монолитном исполнении мм-диапазона
длин волн
B.2. Схемотехнические, конструкторские решения
интегральных схем малошумящих усилителей мм-
диапазона длин волн
B.3. Реализация усилителей
B.4. Заключение
Приложение Г. Генераторы, управляемые
напряжением для диапазоначастот 57-67 ГГц.
Обзор
Г.1. Основная (аналитическая) часть. Генераторы,
управляемые напряжением мм-диапазона длин волн
Г.2. Развитие схемы генератора с одиночным
транзистором
Г.3. Развитие генераторов, управляемых
напряжением, построенных на двухтактных
дифференциальных схемах
Г.4. Примеры разработки генераторов,
управляемых напряжением
Г.5. Заключение
Приложение Д. Схемотехнические и
конструкторские решения для смесителей для
диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор
Д.1. Принципы построения смесителей
Д.2. Схемотехника перемножителей
Д.3. Структуры двойных балансных смесителей на
основе перемножителей
Д.4. Реализация фазорасщепителей
Д.5. Реализация смесителей
Д.6. Заключение
Приложение Е. Радиоприемные устройства для
диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор
Е.1. Развитие радиоприемных устройств мм-
диапазона длин волн
Приложение Ж. Стратегическая программа
исследований технологической платформы "СВЧ-
технологии"
Ж.1. Текущие тенденции развития рынков и
технологий в сфере деятельности платформы
Ж.2. Прогноз развития рынков и технологий в
сфере деятельности платформы.
Ж.3. Направления исследований и разработок,
наиболее перспективные для развития в рамках
платформы
Ж.4. Тематический план работ и проектов
платформы в сфере исследований и разработок
Ж.5. Мероприятия по коммерциализации
технологий и совершенствованию механизмов
управления правами на результаты
интеллектуальной деятельности
Ж.6. Меры в области подготовки и развития
научных и инженерно-технических кадров
О книге
Автор(ы) | Мальцева П. (ред.) |
Раздел | Радиоэлектроника |
Издатель | ТЕХНОСФЕРА |
ISBN | 9785948365268 |
Год издания | 2019 |
Количество страниц | 528 |
Формат | 170x242мм |
Вес | 0.80кг |
Возрастные ограничения | 12 |
Кол-во страниц | 528 |
Серия | Мир электроники |
Размеры | 70x100/16 |
Язык издания | Русский |
Обложка | твердый переплёт |
Оформление обложки | лакировка |
Тип обложки | твердая |
Количество книг | 1 |
Издательство | Техносфера |
Жанр | современная наука |
Возрастное ограничение | 16+ |
Технические науки - издательство "Техносфера"
Категория 479 р. - 718 р.
Автоматика. Радиоэлектроника. Связь - издательство "Техносфера" »
Технические науки
Категория 479 р. - 718 р.