КаталогКниг.РФ Технология выращивания кристаллов нитрида галлия (Эрентраут Д., Мейсcнер Э., Боковски М. (ред.)) ; Техносфера, 2019
от 546 р. до 1099 р.
Автор(ы): Эрентраут Д.; Мейсcнер Э.; Боковски М. (ред.);
Издатель: Техносфера
ISBN: 9785948362939
ID: SKU280922
Добавлено: 16.08.2021
Сравнить цены
Цена от 546 р. до 1099 р. в 5 магазинах
| Магазин | Цена | Наличие |
|---|---|---|
| Буквоед 5/5 | 1099 р. Минимальная сумма заказа 100 рублей | |
| Book24 5/5 | 1099 р. | |
| Лабиринт 5/5 | 630 р. 900 р. | |
| Яндекс.Маркет 5/5 | 1294 р. | наличие уточняйте 27.05.2024 |
| МАЙШОП 5/5 | 546 р. 840 р. | |
| Читай-город 5/5 | ||
Описание
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы.
Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
Смотри также Характеристики.
Яндекс.Маркет
Содержание
Предисловие редактора перевода
Введение
Предисловие
Часть I. Рынок объемных кристаллов GaN
Глава 1. Развитие рынка подложек из объемного
GaN
Часть II. Технология выращивания из паровой
фазы.
Глава 2. Хлорид-гидридная эпитаксия GaN из
паровой фазы
Глава 3. Выращивание объемных кристаллов GaN с
помощью эпитаксии из гидридной паровой фазы на
затравках монокристаллического GaN
Глава 4. Изготовление отдельных GaN-пластин на
основе эпитаксии из гидридной паровой фазы и с
использованием метода отслоения по линии пустот
на интерфейсе
Глава 5. Выращивание полярных и неполярных
кристаллов GaN с помощью метода HVPE
Глава 6. Высокоскоростной эпитаксиальный метод
выращивания с помощью осаждения
металлорганических соединений из газовой фазы
(MOVPE)
Часть 3. Технология выращивания из раствора
Глава 7. Аммонотермальное выращивание GaN в
аммоноосновном режиме
Глава 8. Пути реализации аммонотермального
метода выращивания объемного GaN
Глава 9. Технология кислотно- аммонотермального
выращивания GaN
Часть IV. Технология выращивания из расплава
Глава 10. Выращивание нитрида галлия из
раствора под высоким давлением.
Глава 11. Краткий обзор использования метода
Na-Flux для выращивания кристаллов GaN
большого размера
Глава 12. Выращивание нитрида галлия в растворе
низкого давления
Часть 5. Описание характеристик кристаллов GaN
Глава 13. Оптические свойства подложек из GaN
Глава 14. Исследование точечных дефектов и
примесей в объемном GaN с помощью
спектроскопии позитронной аннигиляции
Введение
Предисловие
Часть I. Рынок объемных кристаллов GaN
Глава 1. Развитие рынка подложек из объемного
GaN
Часть II. Технология выращивания из паровой
фазы.
Глава 2. Хлорид-гидридная эпитаксия GaN из
паровой фазы
Глава 3. Выращивание объемных кристаллов GaN с
помощью эпитаксии из гидридной паровой фазы на
затравках монокристаллического GaN
Глава 4. Изготовление отдельных GaN-пластин на
основе эпитаксии из гидридной паровой фазы и с
использованием метода отслоения по линии пустот
на интерфейсе
Глава 5. Выращивание полярных и неполярных
кристаллов GaN с помощью метода HVPE
Глава 6. Высокоскоростной эпитаксиальный метод
выращивания с помощью осаждения
металлорганических соединений из газовой фазы
(MOVPE)
Часть 3. Технология выращивания из раствора
Глава 7. Аммонотермальное выращивание GaN в
аммоноосновном режиме
Глава 8. Пути реализации аммонотермального
метода выращивания объемного GaN
Глава 9. Технология кислотно- аммонотермального
выращивания GaN
Часть IV. Технология выращивания из расплава
Глава 10. Выращивание нитрида галлия из
раствора под высоким давлением.
Глава 11. Краткий обзор использования метода
Na-Flux для выращивания кристаллов GaN
большого размера
Глава 12. Выращивание нитрида галлия в растворе
низкого давления
Часть 5. Описание характеристик кристаллов GaN
Глава 13. Оптические свойства подложек из GaN
Глава 14. Исследование точечных дефектов и
примесей в объемном GaN с помощью
спектроскопии позитронной аннигиляции
О книге
| Автор(ы) | Эрентраут Д., Мейсcнер Э., Боковски М. (ред.) |
| Серия | мир радиоэлектроники |
| Раздел | Радиоэлектроника |
| Издатель | Техносфера |
| ISBN | 978-5-94-836293-9 |
| Год издания | 2019 |
| Количество страниц | 384 |
| Формат | 176x246мм |
| Вес | 0.65кг |
| Возрастные ограничения | 12 |
| Кол-во страниц | 384 |
| Переплет | 70х100/16 |
| Размеры | 70x100/16 |
| Язык издания | Русский |
| Обложка | твердый переплёт |
Книги где авторы: Эрентраут Д., Мейсcнер Э., Боковски М. (ред.)
Технические науки - издательство "Техносфера"
Категория 436 р. - 655 р.
Автоматика. Телемеханика - издательство "Техносфера" »
Технические науки
Категория 436 р. - 655 р.
