Контроль параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов (Дракин Александр Юрьевич, Потапов Леонид Алексеевич, Зотин Виталий Федорович) ; Лань, 2021

ПРЕДИСЛОВИЕ
1. КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРОВ
1.1. Оценка качества полупроводниковых
приборов
1.2. Испытания полупроводниковых приборов
1.3. Контроль параметров полупроводниковых
приборов
1.4. Автоматизация контроля полупроводниковых
приборов
2. МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ АНАЛОГОВЫХ
МИКРОСХЕМ
2.1. Стандартизированные методы контроля
электрических параметров
2.2. Методы контроля тепловых параметров
2.3. Перечень контролируемых параметров
ШИМ-контроллеров
2.4. Группировка контролируемых параметров
аналоговых микросхем для специализированных
тестеров
3. СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ
3.1. Специализированные средства контроля
аналоговых микросхем
3.1.1. Тестер АТИКОУ
3.1.2. Тестер АТИАУДИО
3.1.3. Тестер "МАРС"
3.1.4. Тестер АТИШИМК
3.1.5. Комплексы измерительные параметров
аналоговых микросхем и устройств ДМТ-201 и
ДМТ-219
3.2. СХЕМОТЕХНИКА ОСНОВНЫХ УЗЛОВ ТЕСТЕРОВ
3.2.1. Программируемые источники постоянного
напряжения и тока
3.2.2. Измерители контролируемых токов и
напряжений
3.2.3 Формирователи тестовых сигналов
3.2.4. Элементная база и структура коммутаторов
3.2.5. Примеры принципиальных схем
функциональных узлов
3.3. УНИВЕРСАЛЬНЫЕ ТЕСТЕРЫ
3.3.1. Тестеры INTEGRA и FLEX
3.3.2. Тестеры FT-17HF
3.3.3. Тестеры FORMULA 2К
3.3.4. Тестер "ВЕКТОР-М"
3.3.5. Автоматические манипуляторы и зондовые
установки
4. МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ СИЛОВЫХ ДИОДОВ И
ТРАНЗИСТОРОВ
4.1. Контроль параметров силовых диодов
4.2. Контроль параметров силовых транзисторов
4.3. Методы контроля теплового сопротивления
силовых полупроводниковых приборов
4.3.1. Контроль теплового сопротивления диода
4.3.2. Контроль теплового сопротивления
транзистора
4.4. Измерение временных параметров силовых
диодов и транзисторов
5. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ
НЕЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
5.1. Определение тепловых сопротивлений
силовых диодов и транзисторов
5.1.1. Прибор Rth Meter для измерения теплового
импеданса полупроводниковых диодов и
транзисторов
5.1.2. Испытательно-измерительный комплекс для
диагностики и контроля силовых
полупроводниковых приборов
5.1.3. Импортные тестеры T3Steru TRA-200
5.2. Оборудование для контроля динамических
параметров IGBT-транзисторов и
быстровосстанавливающихся диодов
5.2.1. Измеритель времени обратного
восстановления диодов
5.2.2. Тестер для измерения динамических
параметров силовых модулей на основе ВВЦ и БТИЗ
6. ПРОМЫШЛЕННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ
КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВЫХ
ДИОДОВИ ТРАНЗИСТОРОВ
6.1. Особенности тестирования силовых
полупроводниковых приборов
6.2. Тестеры компании "ФОРМ"
6.3. Тестер полупроводниковых приборов FT-17SC
6.4. Измерители электрических параметров
полупроводниковых приборов
6.4.1. Измеритель параметров полупроводниковых
приборов ИППП-1
6.4.2. Измеритель параметров полупроводниковых
приборов ИППП-3
6.4.3. Измеритель параметров мощных
транзисторов и диодов Л2-69
6.4.4. Стенды для проверки силовых
полупроводниковых приборов "Крона".
6.4.5. Прибор контроля силовых вентилей ПКСВ-1
6.4.6. Комплекс измерительной аппаратуры "АДИП"
6.5. Импортные тестеры
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение 1. Микросхемы интегральные.
Термины, определения и буквенные обозначения
электрических параметров (ГОСТ Р 57441-2017)
Приложение 2. Буквенные обозначения и текстовое
описание основных параметров диодов (ГОСТ
25529-82)
Приложение 3. Термины, обозначения и
определения параметров транзисторов (ГОСТ
19095)
ЛИТЕРАТУРА