Твердотельная электроника (Гуртов Валерий Алексеевич) ; Техносфера, 2008
от 380 р. до 574 р.
Автор(ы): Гуртов Валерий Алексеевич;
Издатель: Техносфера
ISBN: 978-5-94836-187-1
ID: SKU1194739
Добавлено: 13.04.2023
Сравнить цены
Цена от 380 р. до 574 р. в 4 магазинах
Магазин | Цена | Наличие |
---|---|---|
Лабиринт 5/5 | 438 р. 625 р. | |
Яндекс.Маркет 5/5 | 574 р. | наличие уточняйте 09.05.2024 |
МАЙШОП 5/5 | 409 р. 584 р. | |
OZON | 380 р. | наличие уточняйте 03.01.2024 |
Читай-город 5/5 | ||
Описание
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, InP. Рассмотрен квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах.
В третьем издании добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах.
Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам, инженерам-разработчикам.
3-е издание, дополненное.
В третьем издании добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах.
Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам, инженерам-разработчикам.
3-е издание, дополненное.
Смотри также Характеристики.
Яндекс.Маркет
Содержание
Предисловие к третьему изданию
Предисловие ко второму изданию
Предисловие к первому изданию
Введение
Глава 1
Необходимые сведения из физики твердого тела и
физики полупроводников
Глава 2
Барьеры Шоттки, p-n-переходы и гетеропереходы
Глава 3
Физика поверхности и МДП-структуры
Глава 4
Полупроводниковые диоды
Глава 5
Биполярные транзисторы
Глава 6
Полевые транзисторы
Глава 7
Тиристоры
Глава 8
Лавинно-пролетные диоды
Глава 9
Диоды Ганна
Глава 10
Полупроводниковые лазеры и светодиоды
Глава 11
Фотоприемники
Глава 12
Солнечные батареи
Глава 13
Квантовый эффект Холла в двухмерном
электронном газе
Глава 14
Полевые транзисторы с высокой подвижностью
электронов в канале
Глава 15
Полупроводниковые приборы при экстремальных
температурах
Глава 16
Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники
Глава 17
Классификация и обозначения полупроводниковых
приборов
Приложение А.
Нобелевские премии за работы по твердотельной
электронике
Приложение Б
Решения задач
Приложение В
Обозначения физических параметров
Обозначения приборных параметров
Приложение Г
Список рекомендованной литературы
Предметный указатель
Об авторе
Предисловие ко второму изданию
Предисловие к первому изданию
Введение
Глава 1
Необходимые сведения из физики твердого тела и
физики полупроводников
Глава 2
Барьеры Шоттки, p-n-переходы и гетеропереходы
Глава 3
Физика поверхности и МДП-структуры
Глава 4
Полупроводниковые диоды
Глава 5
Биполярные транзисторы
Глава 6
Полевые транзисторы
Глава 7
Тиристоры
Глава 8
Лавинно-пролетные диоды
Глава 9
Диоды Ганна
Глава 10
Полупроводниковые лазеры и светодиоды
Глава 11
Фотоприемники
Глава 12
Солнечные батареи
Глава 13
Квантовый эффект Холла в двухмерном
электронном газе
Глава 14
Полевые транзисторы с высокой подвижностью
электронов в канале
Глава 15
Полупроводниковые приборы при экстремальных
температурах
Глава 16
Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники
Глава 17
Классификация и обозначения полупроводниковых
приборов
Приложение А.
Нобелевские премии за работы по твердотельной
электронике
Приложение Б
Решения задач
Приложение В
Обозначения физических параметров
Обозначения приборных параметров
Приложение Г
Список рекомендованной литературы
Предметный указатель
Об авторе
О книге
ISBN | 978-5-94836-187-1 |
Автор(ы) | Гуртов Валерий Алексеевич |
Издатель | Техносфера |
Год издания | 2008 |
Серия | Мир электроники |
Размеры | 70x100/16 |
Язык издания | Русский |
Кол-во страниц | 512 |
Обложка | твердый переплёт |
1 ms.
Книги с похожим названием
Электротехника. Электроника - издательство "Техносфера"
Категория 304 р. - 456 р.
Электротехника. Электроника - издательство "Техносфера" »
0 ms.
Электротехника. Электроника
Категория 304 р. - 456 р.